[发明专利]半导体光学器件

权利要求书

1.一种半导体光学器件，包括：

第一包覆层、第二包覆层以及夹设于所述第一包覆层和所述第二包覆层之间的光波导层；

其中所述光波导层包括：第一半导体层；第二半导体层，布置在所述第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖所述第二半导体层的顶表面；以及

其中所述第一半导体层包括：n型区域，布置在所述第二半导体层的一侧；p型区域，布置在所述第二半导体层的另一侧；以及i型区域，布置在所述n型区域与所述p型区域之间；以及

其中所述第二半导体层的带隙比所述第一半导体层和所述第三半导体层的带隙窄。

2.根据权利要求1所述的半导体光学器件，其中所述第三半导体层还覆盖所述第二半导体层的侧面。

3.根据权利要求1或2所述的半导体光学器件，其中所述第二半导体层的所述带隙被设定为：使得由注入到三层肋部中的载流子产生的所述三层肋部的等效折射率变化的绝对值比由注入到二层肋部中的载流子产生的所述二层肋部的等效折射率变化的绝对值大，所述三层肋部包括所述第二半导体层、所述第三半导体层以及在所述第二半导体层下侧的所述第一半导体层，所述二层肋部包括所述第二半导体层以及在所述第二半导体层下侧的所述第一半导体层，并且所述二层肋部具有与所述三层肋部相同的大小。

4.根据权利要求1所述的半导体光学器件，还包括：

凹槽，布置在所述i型区域上；

其中所述第二半导体层被布置在所述凹槽上，并且所述第二半导体层的至少部分侧面接触所述i型区域。

5.根据权利要求1所述的半导体光学器件，其中在所述第二半导体层的两侧的所述第一半导体层比所述第一半导体层的接触所述第二半导体层的区域薄。

6.根据权利要求1所述的半导体光学器件，其中所述第一半导体层和所述第三半导体层为单晶硅层，以及

其中所述第二半导体层为单晶硅锗层。

7.根据权利要求6所述的半导体光学器件，其中所述第二半导体层中锗的组成比大于0且不大于0.35。

8.根据权利要求6或7所述的半导体光学器件，其中所述第一半导体层、所述第二半导体层以及所述第三半导体层具有（110）平面方向。

9.一种半导体光学器件，包括：

第一包覆层、第二包覆层以及夹设于所述第一包覆层与所述第二包覆层之间的光波导层；

其中所述光波导层包括：第一半导体层；第二半导体层，布置在所述第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖所述第二半导体层的顶表面；以及

其中所述第一半导体层包括：n型区域以及接触所述n型区域且与所述n型区域之间具有沿着所述一个方向延伸的边界的p型区域；以及

其中所述第二半导体层被布置在所述边界上，并且带隙比所述第一半导体层和所述第三半导体层的带隙窄。

10.根据权利要求9所述的半导体光学器件，其中所述第一半导体层和所述第三半导体层为单晶硅层，以及

其中所述第二半导体层为单晶硅锗层。

11.根据权利要求9所述的半导体光学器件，其中所述第一半导体层、所述第二半导体层以及所述第三半导体层具有（110）平面方向。