[发明专利]具有非正交元件的半导体器件有效
| 申请号： | 201210382566.6 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103456774A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘家助;叶晓谦;吴宏展;陈桂顺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L23/528;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种具有非正交元件的半导体器件，其包括第一栅极结构区段和共线的第二栅极结构区段以及第三栅极结构区段和共线的第四栅极结构区段。互连件从第一栅极结构区段延伸至第四栅极结构区段。互连件设置在第一栅极结构区段和第四栅极结构区段之上。互连件可以形成在半导体器件的接触层上或与接触层共面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 正交 元件 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一栅极结构区段和共线的第二栅极结构区段；第三栅极结构区段和共线的第四栅极结构区段；以及互连结构，从所述第一栅极结构区段延伸到所述第四栅极结构区段，其中，所述互连结构设置在所述第一栅极结构区段和所述第四栅极结构区段之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210382566.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的金属栅电极
- 下一篇：有机发光二极管平面照明装置
- 同类专利
- 专利分类
