[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。实现确保期望的击穿电压，且流过较大的放电电流的ESD保护特性良好的ESD保护元件。由PN结二极管（35）与寄生PNP双极晶体管（38）构成ESD保护元件，所述PN结二极管由适当的杂质浓度的N+型嵌入层（2）与P+型嵌入层（3）形成，所述寄生PNP双极晶体管以连接到P+型扩散层（6）的P+型引出层（5a）作为发射极，以N-型外延层（4）作为基极，以P型半导体衬底（1）作为集电极。P+型嵌入层连接到阳极（10），P+型扩散层、以及与其连接并包围的N+型扩散层（7）连接到阴极（9）。若对阴极施加较大的正静电，则PN结二极管被击穿，通过此时的放电电流I1，N-型外延层的电位比P+型引出层低，寄生PNP双极晶体管（38）导通，流过较大的放电电流I2。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：第1导电型的半导体衬底；第2导电型的外延层，堆积在所述半导体衬底上；第2导电型的第1嵌入层，形成于所述半导体衬底与所述外延层之间，且具有包围由所述半导体衬底与所述外延层构成的PN结的开口；第1导电型的第2嵌入层，与所述第1嵌入层的周边区域连接，且从所述半导体衬底内向所述外延层内延伸；第1导电型的第1引出层，从所述外延层的表面向所述外延层内延伸，且与所述第2嵌入层成为一体；第1导电型的第2引出层，从被所述第2嵌入层与所述第1引出层包围的所述外延层的表面向所述外延层内延伸；第1导电型的第1扩散层，形成于包含所述第2引出层在内的所述外延层的表面；第2导电型的第2扩散层，其被形成为与所述第1扩散层连接，且包围该第1扩散层；阴极，连接到所述第1扩散层以及所述第2扩散层；以及阳极，与所述第1引出层连接，且所述半导体装置具有ESD保护元件，所述ESD保护元件由PN结二极管与寄生双极晶体管构成，所述PN结二极管由所述第1嵌入层与所述第2嵌入层形成，所述寄生双极晶体管由所述第2引出层和所述外延层以及所述半导体衬底或者所述第2嵌入层形成。