[发明专利]一种独立双栅FinFET解析沟道电势分布模型

摘要

本发明提供一种独立双栅FinFET解析沟道电势分布模型，包括：通电沟道一侧设有的源极，所述通电沟道背离所述源极的一侧设有漏极，位于所述通电沟道的顶面设有上栅极，所述通电沟道的底面设有下栅极，其特征在于，该器件结构的电势分布模型解析式为：。本发明一种独立双栅FinFET解析沟道电势分布模型，没有使用过多的近似条件，使用了级数方法求解二维泊松方程来建立沟道电势解析模型，本解析模型采用了较为合理的边界条件，未引进复杂的几何结构参数及经验参数，适用于不同的衬底反偏电压、漏极电压等条件，且与数值模拟的结果符合地较好，有着形式简洁，计算精度高，计算速度快的优点。

主权项

1.一种独立双栅FinFET解析沟道电势分布模型，包括：通电沟道一侧设有的源极，所述通电沟道背离所述源极的一侧设有漏极，位于所述通电沟道的顶面设有上栅极，所述通电沟道的底面设有下栅极，其特征在于，该器件结构的电势分布模型解析式为：ψ(x,y)=VSS+VDLZ+Σn=1∞An(y)sinnπxL]]>其中V_SS是内建电势、V_D是漏电压、L为所述通电沟道两侧所述源极至所述漏极之间的长度、T_si为硅的厚度，V_GS是栅电压、V_FB是平带电压、V_GFF代表所述通电沟道顶面的上栅压减去平带电压的值，如V_GFF=V_GS上-V_FB、V_GFB代表所述通电沟道底面的下栅压减去平带电压的值，如V_GFB=V_GS下-V_FB、ε_si是硅的介电常数、C_ox是栅氧化层的单位面积电容、为下栅极与上栅极所加电压之比、为下栅极与上栅极的电容之比，半导体表面处电势最低点，即虚拟阴极处，z＝z₀，式子中：rn=nπL,]]>n=1，2，3…，An(y)=Cnerny+Dne-rny-fnrn2]]>Gn=2nπ[(VSS-VGFF)(1-(-1)n)-(-1)nVD]]]>Hn=2nπ[(VSS-r1VGFF)(1-(-1)n)-(-1)nVD].]]>