[发明专利]一种独立双栅FinFET解析沟道电势分布模型

权利要求书

1.一种独立双栅FinFET解析沟道电势分布模型，包括：通电沟道一侧设有的源极，所述通电沟道背离所述源极的一侧设有漏极，位于所述通电沟道的顶面设有上栅极，所述通电沟道的底面设有下栅极，其特征在于，该器件结构的电势分布模型解析式为：

ψ(x,y)=VSS+VDLZ+Σn=1∞An(y)sinnπxL]]>

其中V_SS是内建电势、V_D是漏电压、L为所述通电沟道两侧所述源极至所述漏极之间的长度、T_si为硅的厚度，V_GS是栅电压、V_FB是平带电压、V_GFF代表所述通电沟道顶面的上栅压减去平带电压的值，如V_GFF=V_GS上-V_FB、V_GFB代表所述通电沟道底面的下栅压减去平带电压的值，如V_GFB=V_GS下-V_FB、ε_si是硅的介电常数、C_ox是栅氧化层的单位面积电容、为下栅极与上栅极所加电压之比、为下栅极与上栅极的电容之比，半导体表面处电势最低点，即虚拟阴极处，z＝z₀，式子中：

rn=nπL,]]>n=1，2，3…，

An(y)=Cnerny+Dne-rny-fnrn2]]>

Gn=2nπ[(VSS-VGFF)(1-(-1)n)-(-1)nVD]]]>

Hn=2nπ[(VSS-r1VGFF)(1-(-1)n)-(-1)nVD].]]>