[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201210345678.4 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102903820A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 马若玉;张元波 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/22;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，用以解决现有技术中存在的发光二极管芯片发光效率低的问题。上述发光二极管芯片包括：基底；PN结，其位于基底的一侧并包括P型半导体层和N型半导体层；P型电极、N型电极和电流扩散层，该P型电极、N型电极和电流扩散层位于上述PN结上；还包括：反射层，位于上述基底的另一侧；光栅，位于上述电流扩散层靠近PN结的一侧。采用本发明技术方案，制作工艺简单，通过改变发光二极管芯片内部光线的方向有效提高了发光二极管芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，包括：基底；PN结，其位于基底的一侧并包括P型半导体层和N型半导体层；P型电极、N型电极和电流扩散层，所述P型电极、N型电极和电流扩散层位于所述PN结上；其特征在于，还包括：反射层，位于所述基底的另一侧；光栅，位于所述电流扩散层靠近PN结的一侧。
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