[发明专利]芯片及载板的封装方法无效
| 申请号: | 201210336842.5 | 申请日: | 2012-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN103681373A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | 林定皓;吕育德;卢德豪 | 申请(专利权)人: | 景硕科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/64 |
| 代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 |
| 地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明提供一种芯片及载板的封装方法,包含:薄型芯片载板制作步骤,制作总厚度范围在70μm-150μm的薄型芯片载板,该薄型芯片载板包含介电材料层、藉由介电材料层堆栈且连接的线路金属层,以及凸出介电材料层10μm-15μm的焊垫;结构层制作步骤,在薄型芯片载板的周围上各设置稳固结构;芯片连接步骤,将芯片设置于容置空间中,使芯片的接脚与焊垫连接;以及注入材料填入步骤,是将该芯片下方的容置空间填入注入材料,经封装后总厚度范围在300μm-850μm之间,由于不需胶装封模,能降低封装的总厚度及节省成本,更能藉稳固结构来避免薄型芯片载板弯曲。 | ||
| 搜索关键词: | 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片及载板的封装方法,其特征在于,包含:一薄型芯片载板制作步骤,制作总厚度范围在70μm‑150μm的一薄型芯片载板,该薄型芯片载板包含一介电材料层、一第一线路金属层以及一第二线路金属层,该第一线路金属层镶嵌于该介电材料层,并与该介电材料层形成一共面表面,该第二线路金属层透过填满该介电材料层的孔洞与该第一线路金属层连接,该薄型芯片载板包含凸出该共面表面10μm‑15μm、与该第一线路金属层连接的多个焊垫;一结构层制作步骤,是在该薄型芯片载板共面平面的周围上,各设置一稳固结构,该稳固结构包含下部的一黏着层以及上方的一稳固层,而提供一容置空间;一芯片连接步骤,是将一芯片设置于该容置空间中,使该芯片的多个接脚分别与所述焊垫连接;以及一注入材料填入步骤,是将该芯片下方的该容置空间填入一注入材料,以使该芯片的所述接脚及所述焊垫的连接稳固,其中经过封装后总厚度范围在300μm‑850μm之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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