[发明专利]芯片及载板的封装方法无效
| 申请号: | 201210336842.5 | 申请日: | 2012-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN103681373A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | 林定皓;吕育德;卢德豪 | 申请(专利权)人: | 景硕科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/64 |
| 代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 |
| 地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 封装 方法 | ||
1.一种芯片及载板的封装方法,其特征在于,包含:
一薄型芯片载板制作步骤,制作总厚度范围在70μm-150μm的一薄型芯片载板,该薄型芯片载板包含一介电材料层、一第一线路金属层以及一第二线路金属层,该第一线路金属层镶嵌于该介电材料层,并与该介电材料层形成一共面表面,该第二线路金属层透过填满该介电材料层的孔洞与该第一线路金属层连接,该薄型芯片载板包含凸出该共面表面10μm-15μm、与该第一线路金属层连接的多个焊垫;
一结构层制作步骤,是在该薄型芯片载板共面平面的周围上,各设置一稳固结构,该稳固结构包含下部的一黏着层以及上方的一稳固层,而提供一容置空间;
一芯片连接步骤,是将一芯片设置于该容置空间中,使该芯片的多个接脚分别与所述焊垫连接;以及
一注入材料填入步骤,是将该芯片下方的该容置空间填入一注入材料,以使该芯片的所述接脚及所述焊垫的连接稳固,
其中经过封装后总厚度范围在300μm-850μm之间。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该薄型芯片载板制作步骤包含:
一基材准备步骤,准备具有一铜层的一载板,该铜层的厚度约为25μm-30μm;
一部分蚀刻步骤,将铜层以干蚀刻或湿蚀刻的方式形成多个孔槽,所述孔槽的深度约为10μm-15μm;
一影像转移步骤,首先以电镀或无电镀的方式,形成一导电金属层,该导电金属层覆盖所述孔槽的孔壁,接着在该导电金属层上覆盖一光阻层,并透过光罩曝光及显影,将该光阻层图案化,最后进行金属电镀或无电镀,再将去除图案化的光阻层,而形成该第一线路金属层,该第一线路金属层填入所述孔槽之中;
一增层步骤,在该第一线路金属层上形成该介电材料层,藉由钻孔并重复该影像转移步骤,在对应部分该第一线路金属层的位置形成多个孔洞,并在该介电材料层上堆栈形成该第二线路金属层,该第二线路金属层填满该介电材料层中的所述孔洞,而与该第一线路金属层连接,最后并形成一防焊层以覆盖介电材料层及部份的该第二线路金属层;以及
一载板去除及蚀刻步骤,将该载板去除,接着进行蚀刻以将该铜层及该导电金属层移除,而形成该薄型芯片载板,使得该第一线路金属层形成为镶嵌于该介电材料层中,而原填入所述孔槽的该第一线路金属层,形成凸出该共面表面10μm-15μm的所述焊垫。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该稳固层为玻璃纤维、塑料或不锈钢。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,更进一步地在设置该稳固结构之前,在该第一线路金属层与该介电材料层的共面表面,设置一第二防焊层,该第二防焊层覆盖部分的共面表面,但不遮盖焊垫,接着进行该结构层制作步骤,在该第二防焊层设置该稳固结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于景硕科技股份有限公司,未经景硕科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210336842.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:四方平面无导脚半导体封装件及其制法
- 下一篇:鳍式场效应管及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





