[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种非易失性半导体存储器件及其制造方法。本发明能够实现一种即使使用具有相对高电阻率的导电材料用于电极也高度可靠的电阻变化元件。一种非易失性半导体存储器件具有第一布线、第二布线和在一端处电耦合到第一布线且在另一端处电耦合到第二布线的存储单元。该存储单元具有：通过改变电阻值来存储信息的电阻变化层，和耦合在电阻变化层的两端且不包含贵金属的第一电极和第二电极。第一电极包括外部电极和形成在外部电极和电阻变化层之间的界面电极。界面电极的厚度比外部电极的厚度薄。界面电极的电阻率比外部电极的电阻率高。在低电阻状态，第一电极的电阻值比电阻变化层的电阻值低。

主权项

一种非易失性半导体存储器件，包括：第一布线；第二布线；和存储单元，所述存储单元在一端电耦合到所述第一布线，在另一端电耦合到所述第二布线，其中所述存储单元包括：电阻变化层，所述电阻变化层通过改变电阻值来存储信息；和第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极耦合到所述电阻变化层的两端并且不包含贵金属，其中所述第一电极包括：第一外部电极；和第一界面电极，所述第一界面电极形成在所述第一外部电极和所述电阻变化层之间，其中所述第一界面电极的厚度比所述第一外部电极的厚度薄，其中所述第一界面电极的电阻率比所述第一外部电极的电阻率高，并且其中在低电阻状态中，所述第一电极的电阻值比所述电阻变化层的电阻值低。