[发明专利]倒装发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210314573.2 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102931313A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 曾晓强;陈顺平;潘群峰;黄少华 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装发光二极管及其制作方法，其结构包括：基板，其上分布有P、N型焊盘电极；发光外延层倒装形成于所述基板上，其自上而下包括n型半导体层、有源层、p型半导体层，其中n型半导体层划分为发光区、隔离区和电极区，其中发光区和电极区通过所述隔离区实现电性隔离；有源层和p型半导体层位于发光区下方，所述p型半导体层与p型焊盘电极连接，所述n型半导体层的电极区与N型焊盘电极连接；导电连接部，位于所述n型半导体层上，连接所述n型半导体层的电极区和发光区，当接通外部电源时，实现电流垂直注入发光外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
倒装发光二极管，其包括：基板，其上分布有P、N型焊盘电极；发光外延层倒装形成于所述基板上，其自上而下包括n型半导体层、有源层、p型半导体层，其中n型半导体层划分为发光区、隔离区和电极区，其中发光区和电极区通过所述隔离区实现电性隔离；有源层和p型半导体层位于发光区下方，所述p型半导体层与p型焊盘电极连接，所述n型半导体层的电极区与N型焊盘电极连接；导电连接部，位于所述n型半导体层上，连接所述n型半导体层的电极区和发光区，当接通外部电源时，实现电流垂直注入发光外延层。
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