[发明专利]三维电容结构

摘要

本发明公开了一种三维电容结构，以MIM三明治结构为基础，包含一个具有较高介电常数和良好高频特性的电容介质层，以及处于电介质上下层位置的金属电极层，上下金属电极层以横向电通量电容中共面相邻的叉指电极为原型（包括进一步的分形化设计），其横向相对位置保持不变，而纵向上以高K介质层为中心错开分布，位于上下两个不同的电极层，从而使得两电极兼具横向、纵向的耦合电通量，以改善电容的电学性能，有助于拓展电容设计及提高电容值可调范围，同时从本质上解决电容发展中电容密度、绝缘强度、集成化应用等相关问题；并且是以成熟的叉指结构为基础，制作工艺可实现性高。

主权项

一种三维电容结构，其包括上金属电极层、下金属电极层及位于上金属电极层与下金属电极层之间的电容介质层；其特征在于：该电容介质层采用高介电常数和高频特性的材料；而上金属电极层与下金属电极层的金属电极为相互错开分布的叉指结构。