[发明专利]三维电容结构无效
| 申请号： | 201210307411.6 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102832195A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 徐文彬 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 渠述华 |
| 地址： | 361000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 电容 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维电容结构，其包括上金属电极层、下金属电极层及位于上金属电极层与下金属电极层之间的电容介质层；其特征在于：该电容介质层采用高介电常数和高频特性的材料；而上金属电极层与下金属电极层的金属电极为相互错开分布的叉指结构。
2.如权利要求1所述的三维电容结构，其特征在于：所述的各叉指上进一步分形出一次叉指结构。
3.如权利要求1所述的三维电容结构，其特征在于：所述的各一次叉指上再进一步分形出二次叉指结构。
4.如权利要求1、2或3所述的三维电容结构，其特征在于：所述电容介质层的高介电常数和高频特性材料包括但不局限于Ta2O5。
5.如权利要求4所述的三维电容结构，其特征在于：所述电容介质层的材料为烧结后的陶瓷层、丝网印刷后的块状电介质材料。
6.如权利要求4所述的三维电容结构，其特征在于：所述电容介质层的材料为用各种物理、化学方法沉积得到的电介质薄膜。
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