[发明专利]芯片封装基板和结构及其制作方法有效
申请号: | 201210307163.5 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN103632979B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 王峰 | 申请(专利权)人: | 碁鼎科技秦皇岛有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/14;H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 薛晓伟 |
地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种芯片封装基板,包括第一薄铜层、导电线路图形及防焊层。该导电线路图形凸出形成于该薄铜层一表面且与薄铜层为一体结构,该导电线路图形的导电线路间形成凹陷。该防焊层形成于该导电线路图形的表面部分区域以及该导电线路图形间的凹陷内,该导电线路图形上未被防焊层覆盖的部位构成多个电性连接垫。本发明还涉及芯片封装基板的制作方法、芯片封装结构及其制作方法。 | ||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种芯片封装基板的制作方法,包括步骤:提供一支撑板、第一铜箔及第二铜箔,该第一铜箔和第二铜箔分别通过离型膜贴附于该支撑板相对的两个表面;在该第一铜箔层上形成图案化的第一凹陷,该第一凹陷的深度小于该第一铜箔层的厚度,与该第一凹陷在平行于该第一铜箔层的方向上相邻的第一铜箔层构成第一导电线路图形,该第一导电线路图形与该支撑板之间的第一铜箔层构成完全覆盖对应离型膜的第一薄铜层;在该第二铜箔层上形成图案化的第二凹陷,该第二凹陷的深度小于该第二铜箔层的厚度,与该第二凹陷在平行于该第二铜箔层的方向上相邻的第二铜箔层构成第二导电线路图形,该第二导电线路图形与该支撑板之间的第二铜箔层构成完全覆盖对应离型膜的第二薄铜层;在该第一导电线路图形的表面部分区域以及该第一凹陷内形成第一防焊层,及在该第二导电线路图形的表面部分区域以及第二凹陷内形成第二防焊层,使该第一导电线路图形上未被第一防焊层覆盖的部位构成多个第一电性接触垫,及使该第二导电线路图形上未被第二防焊层覆盖的部位构成多个第二电性接触垫;及去除该支撑板和离型膜,得到相互分离的第一芯片封装基板和第二芯片封装基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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