[发明专利]芯片封装基板和结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210307163.5 申请日: 2012-08-27
公开(公告)号: CN103632979B 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 王峰 申请(专利权)人: 碁鼎科技秦皇岛有限公司;臻鼎科技股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/14;H01L23/498;H01L21/60
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 代理人: 薛晓伟
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电路板制作领域,尤其涉及一种芯片封装基板和芯片封装结构及该芯片封装基板和芯片封装结构的制作方法。

背景技术

芯片封装基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效,以实现多引脚化,缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。

当电子产品的体积日趋缩小,所采用的芯片封装基板的体积和线路间距也必须随之减小。习知的芯片封装基板包括一基底及形成于该基底相对表面的导电线路图形,基底两侧的导电线路图形通过导通孔电连接。然而,习知的芯片封装基板的基底使得整个芯片封装结构的厚度减小受到了限制,有悖于芯片封装结构的轻薄的发展趋势,而且基板上需要加工导通孔,增加了制造成本。

发明内容

因此,有必要提供一种轻薄且成本低的芯片封装基板和结构及其制作方法。

一种芯片封装基板的制作方法,包括步骤:提供一支撑板、第一铜箔及第二铜箔,该第一铜箔和第二铜箔分别通过离型膜贴附于该支撑板相对的两个表面;在该第一铜箔层上形成图案化的第一凹陷,该第一凹陷的深度小于该第一铜箔层的厚度,与该第一凹陷在平行于该第一铜箔层的方向上相邻的第一铜箔层构成第一导电线路图形,该第一导电线路图形与对支撑板之间的第一铜箔层构成完全覆盖对应离型膜的第一薄铜层;在该第二铜箔层上形成图案化的第二凹陷,该第二凹陷的深度小于该第二铜箔层的厚度,与该第二凹陷在平行于该第二铜箔层的方向上相邻的第二铜箔层构成第二导电线路图形,该第二导电线路图形与对支撑板之间的第二铜箔层构成完全覆盖对应离型膜的第二薄铜层;在该第一导电线路图形的表面部分区域以及该第一凹陷内形成第一防焊层,及在该第二导电线路图形的表面部分区域以及第二凹陷内形成第二防焊层,使该第一导电线路图形上未被第一防焊层覆盖的部位构成多个第一电性接触垫,及使该第二导电线路图形上未被第二防焊层覆盖的部位构成多个第二电性接触垫;及去除该支撑板和离型膜,得到相互分离的第一芯片封装基板和第二芯片封装基板。

一种芯片封装基板的制作方法,包括步骤:提供一第一支撑板、第二支撑板、第一铜箔及第二铜箔,该第一支撑板与第二支撑板之间通过第一离型膜相互贴附,该第一铜箔通过第二离型膜贴附于该第一支撑板远离该第二支撑板的表面,该第二铜箔通过第三离型膜贴附于该第二支撑板远离该第一支撑板的表面;在该第一铜箔层上形成图案化的第一凹陷,该第一凹陷的深度小于该第一铜箔层的厚度,与该第一凹陷在平行于该第一铜箔层的方向上相邻的第一铜箔层构成第一导电线路图形,该第一导电线路图形与对支撑板之间的第一铜箔层构成完全覆盖对应离型膜的第一薄铜层;在该第二铜箔层上形成图案化的第二凹陷,该第二凹陷的深度小于该第二铜箔层的厚度,与该第二凹陷在平行于该第二铜箔层的方向上相邻的第二铜箔层构成第二导电线路图形,该第二导电线路图形与对支撑板之间的第二铜箔层构成完全覆盖对应离型膜的第二薄铜层;在该第一导电线路图形的表面部分区域以及该第一凹陷内形成第一防焊层,及在该第二导电线路图形的表面部分区域以及第二凹陷内形成第二防焊层,使该第一导电线路图形上未被第一防焊层覆盖的部位构成多个第一电性接触垫,及使该第二导电线路图形上未被第二防焊层覆盖的部位构成多个第二电性接触垫;及将该第一支撑板和第二支撑板相互剥离,得到相互分离的第一芯片封装基板和第二芯片封装基板。

一种芯片封装基板,包括第一薄铜层、第一导电线路图形及第一防焊层。该第一导电线路图形凸出形成于该第一薄铜层一表面且与第一薄铜层为一体结构,该第一导电线路图形间形成第一凹陷。该第一防焊层形成于该第一导电线路图形的表面部分区域以及该第一导电线路图形之间的第一凹陷内,该第一导电线路图形上未被第一防焊层覆盖的部位构成多个第一电性接触垫。

一种芯片封装结构,包括第一导电线路图形、第一防焊层、芯片及第三电性接触垫,该第一导电线路图形的线路间具有凹陷,该第一防焊层形成于该第一导电线路图形的其中一表面部分区域以及该第一导电线路图形的导电线路间的凹陷内,该第一导电线路图形与该第一防焊层相邻的表面未被第一防焊层覆盖的部位构成多个第一电性接触垫,该芯片封装于该第一防焊层上并与该多个第一电性接触垫电连接,该多个第三电性接触垫与该第一导电线路图形为一体结构且位于该第一导电线路图形远离该芯片的一侧。

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