[发明专利]芯片封装基板和结构及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片封装基板的制作方法，包括步骤：

提供一支撑板、第一铜箔及第二铜箔，该第一铜箔和第二铜箔分别通过离型膜贴附于该支撑板相对的两个表面；

在该第一铜箔层上形成图案化的第一凹陷，该第一凹陷的深度小于该第一铜箔层的厚度，与该第一凹陷在平行于该第一铜箔层的方向上相邻的第一铜箔层构成第一导电线路图形，该第一导电线路图形与该支撑板之间的第一铜箔层构成完全覆盖对应离型膜的第一薄铜层；

在该第二铜箔层上形成图案化的第二凹陷，该第二凹陷的深度小于该第二铜箔层的厚度，与该第二凹陷在平行于该第二铜箔层的方向上相邻的第二铜箔层构成第二导电线路图形，该第二导电线路图形与该支撑板之间的第二铜箔层构成完全覆盖对应离型膜的第二薄铜层；

在该第一导电线路图形的表面部分区域以及该第一凹陷内形成第一防焊层，及在该第二导电线路图形的表面部分区域以及第二凹陷内形成第二防焊层，使该第一导电线路图形上未被第一防焊层覆盖的部位构成多个第一电性接触垫，及使该第二导电线路图形上未被第二防焊层覆盖的部位构成多个第二电性接触垫；及

去除该支撑板和离型膜，得到相互分离的第一芯片封装基板和第二芯片封装基板。

2.如权利要求1所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，该多个第一电性接触垫和第二电性接触垫的表面均形成有表面处理层，该表面处理层通过电镀金、镀镍金、化镍浸金、镀镍钯金或镀锡的方法形成。

3.如权利要求1所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，在该第一铜箔层上形成图案化的第一凹陷的方法包括步骤：

在该第一铜箔层上压合第一干膜；

对该第一铜箔层上的第一干膜进行选择性曝光并显影，形成图案化的干膜层，使得该第一铜箔层需要蚀刻的部分露出于第一干膜，而该第一铜箔层需要形成线路的部分仍被第一干膜覆盖；

蚀刻该第一铜箔层，去除部分厚度的露出于第一干膜的第一铜箔层，形成图案化的第一凹陷；及

利用剥膜工艺去除该第一干膜。

4.如权利要求1所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，在该第二铜箔层上形成图案化的第二凹陷的方法包括步骤：

在该第二铜箔层上压合干膜；

对该第二铜箔层上的干膜进行选择性曝光并显影，形成图案化的干膜层，使得该第二铜箔层需要蚀刻的部分露出于干膜，而该第二铜箔层需要形成线路的部分仍被干膜覆盖；

蚀刻该第二铜箔层，去除部分厚度的露出于干膜的第二铜箔层，形成图案化的第二凹陷；及

利用剥膜工艺去除该干膜。

5.一种芯片封装基板的制作方法，包括步骤：

提供一第一支撑板、第二支撑板、第一铜箔及第二铜箔，该第一支撑板与第二支撑板之间通过第一离型膜相互贴附，该第一铜箔通过第二离型膜贴附于该第一支撑板远离该第二支撑板的表面，该第二铜箔通过第三离型膜贴附于该第二支撑板远离该第一支撑板的表面；

在该第一铜箔层上形成图案化的第一凹陷，该第一凹陷的深度小于该第一铜箔层的厚度，与该第一凹陷在平行于该第一铜箔层的方向上相邻的第一铜箔层构成第一导电线路图形，该第一导电线路图形与该支撑板之间的第一铜箔层构成完全覆盖对应离型膜的第一薄铜层；

在该第二铜箔层上形成图案化的第二凹陷，该第二凹陷的深度小于该第二铜箔层的厚度，与该第二凹陷在平行于该第二铜箔层的方向上相邻的第二铜箔层构成第二导电线路图形，该第二导电线路图形与该支撑板之间的第二铜箔层构成完全覆盖对应离型膜的第二薄铜层；

在该第一导电线路图形的表面部分区域以及该第一凹陷内形成第一防焊层，及在该第二导电线路图形的表面部分区域以及第二凹陷内形成第二防焊层，使该第一导电线路图形上未被第一防焊层覆盖的部位构成多个第一电性接触垫，及使该第二导电线路图形上未被第二防焊层覆盖的部位构成多个第二电性接触垫；及

将该第一支撑板和第二支撑板相互剥离，得到相互分离的第一芯片封装基板和第二芯片封装基板。

6.如权利要求5所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，该多个第一电性接触垫和第二电性接触垫的表面均形成有表面处理层，该表面处理层通过电镀金、镀镍金、化镍浸金、镀镍钯金或镀锡的方法形成。