[发明专利]用于构成金属导体结构的方法无效
| 申请号： | 201210293523.0 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102953099A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 奥勒·卢恩 | 申请（专利权）人： | 睿纳有限责任公司 |
| 主分类号： | C25D5/02 | 分类号： | C25D5/02;C25D5/10;C25D7/12;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国居*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于对具有衬底或层表面形式的、例如太阳能电池的半导体材料进行电镀金属的方法。本发明特别涉及优化用于提供选择性的发射极结构的传统的方法，由此能够改进所产生的产品的技术特性。所述方法设计用于通过借助于选择性移除保护层、电镀沉积金属的种子层并且后续地电镀沉积至少另一金属层提供半导体材料的不连续的、纹理化的区域而在由半导体材料制成的衬底的具有保护层的表面上构成金属的导体结构，使得在沉积种子层之前或者之后对衬底的表面施加疏水的物质。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 构成 金属 导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
用于在由半导体材料制成的衬底的具有保护层的表面上构成金属的导体结构的方法，其通过借助于选择性移除保护层、电镀沉积金属的种子层并且接着电镀沉积至少另一金属层来提供半导体材料的不连续的、纹理化的区域，其特征在于，在沉积所述种子层之前或者在沉积所述种子层之后对所述衬底的所述表面施加疏水的物质。
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