[发明专利]用于构成金属导体结构的方法

权利要求书

1.用于在由半导体材料制成的衬底的具有保护层的表面上构成金属的导体结构的方法，其通过借助于选择性移除保护层、电镀沉积金属的种子层并且接着电镀沉积至少另一金属层来提供半导体材料的不连续的、纹理化的区域，其特征在于，在沉积所述种子层之前或者在沉积所述种子层之后对所述衬底的所述表面施加疏水的物质。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纹理化的区域具有至少30nm的粗糙度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，仅在不要金属化的区域中对衬底表面施加所述疏水的物质。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，仅在待金属化的区域中对所述衬底表面施加所述疏水的物质。

5.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述疏水的物质选自：

由（i）通式（I）R-X的化合物和（ii）具有用于表面相互作用和疏水性的功能性的侧基的聚合物和共聚物组成的组，其中X为与所述衬底表面相互反应的基团，并且R选自由烷烃、炔烃、烯烃和其衍生物组成的组。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，R选自由线性的或者支链的C₃-C₃₀-烷基、C₃-C₃₀-杂烷基、需要时取代的C₆-C₃₀-芳基、需要时取代的C₃-C₃₀-杂烷基和C₆-C₃₀-芳烷基组成的组。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述杂原子选自由N、O、P、S和卤素组成的组，其中所述卤素优选为F、Cl、Br和I。

8.根据权利要求5至7之一所述的方法，其特征在于，X选自

（i）阴离子基-(Z)_n-PO₃^2-、-(Z)_n-PO₂S^2-、-(Z)_n-POS₂^2-、-(Z)_n-PS₃^2-、-(Z)_n-PS₂^-、-(Z)_n-POS^-、-(Z)_n-PO₂^-、-(Z)_n-PO₃^2-、-(Z)_n-CO₂^-、-(Z)_n-CS₂^-、-(Z)_n-COS^-、-(Z)_n-C(S)NHOH、-(Z)_n-S^-,其中Z选自由O、S、NH、CH₂组成的组并且n=0、1或2；

（ii）活性单卤代硅烷、活性双卤代硅烷、活性三卤代硅烷和单烷氧基硅烷、双烷氧基硅烷和三烷氧基硅烷，其中卤素原子优选是氯或者溴，其中优选的是甲氧基硅烷或乙氧基硅烷；

（iii）具有分子式Ti-(O-R)₄或(R₁O)_n-Ti-(OR₂)_4-n的有机钛酸盐（酯），其中n<4并且R为C₁-C₈烷烃、炔烃、烯烃或其衍生物；和

（iv）二硫基和硫醇基。

9.根据权利要求5至8之一所述的方法，其特征在于，所述通式（I）的所述化合物选自由n-正辛基黄原酸钠或者n-正辛基黄原酸钾、丁基黄原酸钠或者丁基黄原酸钾、双-n-正辛基二硫代亚膦酸钠或者双-n-正辛基二硫代亚膦酸钾、双-n-正辛基二硫代磷酸钠或者双-n-正辛基二硫代磷酸钾、辛硫醇和所述化合物的混合物,以及缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷组成的组。