[发明专利]防止半导体产品高温快速退火时产生缺陷的方法无效
| 申请号： | 201210286882.3 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103632956A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 孙建军;端木佳清 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明公开了一种防止半导体产品高温快速退火时产生缺陷的方法，在进行高剂量大于等于1E14离子/平方厘米注入后，硅基板被裸露，其中：在进行高温退火时采用氩气作为工艺气体；所述高温是指温度大于等于1000℃，持续时间大于等于10秒。本发明能有效防止因为硅基板在高温下容易与氮气反应形成缺陷而导致产品良率下降。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 半导体 产品 高温 快速 退火 产生 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种防止半导体产品高温快速退火时产生缺陷的方法，在进行高剂量大于等于1E14离子/平方厘米注入后，硅基板被裸露，其特征在于：在进行高温退火时采用氩气作为工艺气体；所述高温是指温度大于等于1000℃，持续时间大于等于10秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
