[发明专利]高压半导体元件的场元件

摘要

本发明公开了一种高压半导体元件的场元件，该场元件包括一第一导电型的一衬底；一第一阱为一第二导电型，是形成于衬底内并由衬底的表面向下扩展；一第二阱，为第一导电型和形成于衬底内并由衬底的表面向下扩展，第二阱邻接第一阱的一侧，而衬底则位于第一阱的另一侧；一第一掺杂区为第一导电型，是形成于第二阱处并与第一阱相隔一距离，其中第一掺杂区的掺杂浓度大于第二阱的掺杂浓度；一导线，是电性连接第一掺杂区并跨越(across)第一阱的上方；和一导电体(conductive body)，是位于导线和第一阱之间，且导电体于导线下方对应地跨越(across)第一阱，导电体和导线被电性隔离。当高压半导体元件操作时，是施加一高压于导线，且施加一固定偏压至该导电体，或是不施加任何外部电压于该导电体，都可有效避免场元件开启。

主权项

一种场元件(field device)，包括：一第一导电型的一衬底；一第一阱为一第二导电型，是形成于该衬底内并由该衬底的表面向下扩展；一第二阱，为该第一导电型和形成于该衬底内并由该衬底的表面向下扩展，该第二阱邻接该第一阱的一侧，而该衬底则位于该第一阱的另一侧；一第一掺杂区为该第一导电型，是形成于该第二阱处并与该第一阱相隔一距离，其中该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第二阱的掺杂浓度；一导线，是电性连接该第一掺杂区并跨越(across)该第一阱的上方；和一导电体(conductive body)，是位于该导线和该第一阱之间且于该导线下方对应地跨越(across)该第一阱，该导电体和该导线被电性隔离。