[发明专利]高压半导体元件的场元件

权利要求书

1.一种场元件(field device)，包括：

一第一导电型的一衬底；

一第一阱为一第二导电型，是形成于该衬底内并由该衬底的表面向下扩展；

一第二阱，为该第一导电型和形成于该衬底内并由该衬底的表面向下扩展，该第二阱邻接该第一阱的一侧，而该衬底则位于该第一阱的另一侧；

一第一掺杂区为该第一导电型，是形成于该第二阱处并与该第一阱相隔一距离，其中该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第二阱的掺杂浓度；

一导线，是电性连接该第一掺杂区并跨越(across)该第一阱的上方；和

一导电体(conductive body)，是位于该导线和该第一阱之间且于该导线下方对应地跨越(across)该第一阱，该导电体和该导线被电性隔离。

2.根据权利要求1所述的场元件，更包括一第一绝缘层位于该第一阱上方并延伸至该第一掺杂区，其中该导电体是位于该第一绝缘层上方。

3.根据权利要求2所述的场元件，其中该导电体是电性连接至一电压源，可施加一固定偏压至该导电体。

4.根据权利要求2所述的场元件，更包括一第二掺杂区为该第二导电型，是形成于该第一阱处并中断该第一阱的连续，且该第二掺杂区的掺杂浓度大于该第一阱的掺杂浓度，该第二掺杂区是与该导电体电性连接。

5.根据权利要求4所述的场元件，其中该导电体包括一柱体部(pillar portion)向下延伸和穿过该第一绝缘层以与该第二掺杂区连接。

6.根据权利要求2所述的场元件，其中该第一绝缘层为一场氧化层。

7.根据权利要求2所述的场元件，更包括一第一中间介电层(first ILD)于该第一绝缘层和该导电体之间。

8.根据权利要求2所述的场元件，更包括一第二绝缘层位于该导线和该导电体之间，使该导电体和该导线电性隔离。

9.根据权利要求8所述的场元件，其中该第二绝缘层为一第二中间介电层(second ILD)。

10.根据权利要求1所述的场元件，其中该导电体为单层的一多晶硅或一金属层。