[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法无效
| 申请号： | 201210282278.3 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102956503A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 金锡勋;金相秀;高铤槿;李炳赞;李善佶;赵真英 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。一种制造半导体装置的晶体管的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成栅极图案；在栅极图案的侧壁上形成间隔体；对半导体衬底进行湿式蚀刻以在该半导体衬底中形成第一凹陷，其中，第一凹陷与间隔体相邻；以及对第一凹陷进行湿式蚀刻以在半导体衬底中形成第二凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的晶体管的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极图案；在所述栅极图案的侧壁上形成间隔体；对所述半导体衬底进行湿式蚀刻，以在所述半导体衬底中形成第一凹陷，其中，所述第一凹陷与所述间隔体相邻；以及对所述第一凹陷进行湿式蚀刻，以在所述半导体衬底中形成第二凹陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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