[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210269621.0 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103035702A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 冈本直哉;牧山刚三;多木俊裕;美浓浦优一;尾崎史朗;宫岛丰生 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/49;H01L21/335;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；形成在所述化合物半导体层上并且包括通孔的绝缘膜；以及形成在所述绝缘膜上以填塞所述通孔的电极，其中在所述电极中形成有在不同的晶体取向之间的晶界，并且所述晶界的端部在所述绝缘膜的平坦表面上与所述通孔间隔开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210269621.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
