[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210269621.0 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103035702A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 冈本直哉;牧山刚三;多木俊裕;美浓浦优一;尾崎史朗;宫岛丰生 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/49;H01L21/335;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
化合物半导体层；
形成在所述化合物半导体层上并且包括通孔的绝缘膜；以及
形成在所述绝缘膜上以填塞所述通孔的电极，
其中在所述电极中形成有在不同的晶体取向之间的晶界，并且所述晶界的端部在所述绝缘膜的平坦表面上与所述通孔间隔开。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述绝缘膜中的所述通孔的边缘具有弯曲的表面。
3.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，其中在所述绝缘膜中的所述通孔的边缘处的所述弯曲的表面的曲率半径不小于所述绝缘膜的厚度的四分之一并且不大于所述厚度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中在所述绝缘膜上形成有由具有的湿法蚀刻速率高于所述绝缘膜的湿法蚀刻速率的材料制成的保护膜以包围所述通孔。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中所述晶界为具有面心立方(111)取向的部分与位于所述绝缘膜的所述平坦表面上并且具有无规取向的部分之间的界面。
6.一种制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括：
在化合物半导体层上形成绝缘膜；
使用掩模通过干法蚀刻在所述绝缘膜的区域中形成通孔；
移除所述掩模；以及
对所述绝缘膜进行湿法蚀刻。
7.根据权利要求6所述的制造化合物半导体器件的方法，其中通过所述湿法蚀刻使得所述绝缘膜中的所述通孔的边缘具有弯曲的表面。
8.一种制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括：
在化合物半导体层上形成绝缘膜；
在所述绝缘膜上形成由具有的湿法蚀刻速率高于所述绝缘膜的湿法蚀刻速率的材料制成的保护膜；以及
通过湿法蚀刻在所述绝缘膜的区域中形成通孔。
9.根据权利要求8所述的制造化合物半导体器件的方法，其中通过所述湿法蚀刻使得所述绝缘膜中的所述通孔的边缘具有弯曲的表面。
10.根据权利要求7或9所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述绝缘膜的曲率半径不小于所述绝缘膜的厚度的四分之一并且不大于所述厚度。
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