[发明专利]反应腔室和具有它的半导体设备有效
| 申请号： | 201210268184.0 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103572253A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 郑友山 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成;黄德海 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明还提出了一种反应腔室，包括：具有工艺腔的腔体，工艺腔内设有沿上下方向间隔开的上电极和下电极；远程等离子体源；清洗气体管道，清洗气体管道的上端与远程等离子体源相连且清洗气体管道的下端伸入工艺腔内；和阀，阀设在清洗气体管道上且邻近清洗气体管道的下端。根据本发明实施例的反应腔室，避免了清洗气体管道内部起辉而产生粉尘，减少了氟离子的损耗。本发明还提出了一种具有上述反应腔室的半导体设备。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 具有 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种反应腔室，其特征在于，包括：腔体，所述腔体内具有工艺腔，所述工艺腔内设有沿上下方向间隔开的上电极和下电极；远程等离子体源；清洗气体管道，所述清洗气体管道的上端与所述远程等离子体源相连且所述清洗气体管道的下端伸入所述工艺腔内；和阀，所述阀设在所述清洗气体管道上且邻近所述清洗气体管道的下端；其中，所述阀用于阻止工艺气体进入所述清洗气体管道。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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