[发明专利]反应腔室和具有它的半导体设备

权利要求书

1.一种反应腔室，其特征在于，包括：

腔体，所述腔体内具有工艺腔，所述工艺腔内设有沿上下方向间隔开的上电极和下电极；

远程等离子体源；

清洗气体管道，所述清洗气体管道的上端与所述远程等离子体源相连且所述清洗气体管道的下端伸入所述工艺腔内；和

阀，所述阀设在所述清洗气体管道上且邻近所述清洗气体管道的下端；

其中，所述阀用于阻止工艺气体进入所述清洗气体管道。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述阀为插板阀、蝶阀或角阀。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括保护气体源，所述保护气体源与所述清洗气体管道相连，用于在所述阀关闭时向所述清洗气体管道位于所述阀与所述远程等离子体源之间的部分内通入不起辉的保护气体。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述保护气体源通过所述远程等离子体源与所述清洗气体管道相连。

5.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述保护气体为氮气。

6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述清洗气体管道包括室外管道和陶瓷管道，所述室外管道的上端与所述远程等离子体源相连且所述室外管道的下端与所述陶瓷管道相连，所述陶瓷管道位于所述工艺腔内。

7.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述陶瓷管道外面套设有绝缘法兰，所述室外管道的下端设有法兰盘，所述陶瓷管道通过所述绝缘法兰和所述法兰盘与所述室外管道相连。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述腔体包括：

上壳；

下壳，所述下壳与所述上壳相连以与所述上壳限定出所述工艺腔；和

RF盖，所述RF盖设在所述工艺腔内以将所述工艺腔分成上腔和下腔，

其中所述上电极设在所述RF盖下方以与所述RF盖限定出均流室，所述清洗气体管道的下端与所述均流室连通。

9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述清洗气体管道的下端通过法兰与所述RF盖相连。

10.一种半导体设备，其特征在于，包括：

根据要求1-9中任一项所述的反应腔室；以及

抽真空装置，用于所述阀打开的状态下，对所述工艺腔以及所述清洗气体管道进行抽真空。

11.根据权利要求10所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备为PECVD设备。