[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201210264656.5 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102903718A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 田中文悟 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：半导体层，包含被元件隔离槽分离的多个有源区；电容膜，包含覆盖所述元件隔离槽的侧壁的侧壁覆盖部；和电极膜，层压在所述电容膜上；并且所述半导体层、所述电容膜和所述电极膜形成电容器元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体层，包含被元件隔离槽分离的多个有源区；电容膜，包含覆盖所述元件隔离槽的侧壁的侧壁覆盖部；和电极膜，层压在所述电容膜上，其中，所述半导体层、所述电容膜和所述电极膜形成所述半导体装置的电容器元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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