[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体层，包含被元件隔离槽分离的多个有源区；

电容膜，包含覆盖所述元件隔离槽的侧壁的侧壁覆盖部；和

电极膜，层压在所述电容膜上，

其中，所述半导体层、所述电容膜和所述电极膜形成所述半导体装置的电容器元件。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电容膜包含覆盖所述有源区的表面的有源区覆盖部。

3.如权利要求1所述的半导体装置，进一步包括形成在每个所述有源区中的晶体管元件，所述晶体管元件与所述电容器元件电连接。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，多个存储单元形成在所述半导体层上以组成存储单元阵列，每个存储单元包含所述晶体管元件和所述电容器元件。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述元件隔离槽包含锯齿形边缘，且所述侧壁覆盖部沿所述锯齿形边缘形成在所述侧壁上。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述有源区包含被所述电容膜的所述有源区覆盖部部分覆盖的矩形部，且

其中，凹部形成在所述矩形部的至少一个边缘上，当从所述半导体层的表面上方看时，所述凹部向内部凹进。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个所述有源区包括一对矩形部和连接所述一对矩形部的连接部，且

其中，所述电容膜被形成以覆盖包含所述一对矩形部的区域。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，晶体管元件形成在所述有源区的所述连接部中。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述电容器元件形成在包含所述矩形部和沿所述矩形部形成的所述元件隔离槽的侧壁的区域，且

其中，所述晶体管元件和所述电容器元件互相电连接。

10.如权利要求1所述的半导体装置，进一步包括嵌入所述元件隔离槽底部的绝缘层，所述绝缘层比所述电容膜厚。