[发明专利]用于3D拓扑图形晶片的光刻模型有效
| 申请号： | 201210264176.9 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102955370A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G06F17/50;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了用于3D拓扑图形晶片的光刻模型。本发明还公开了用于模拟由入射辐射在衬底上的抗蚀剂层内形成的图像的方法，所述方法包括步骤：计算在抗蚀剂层内一深度处的入射辐射引起的向前传播电场或向前传播磁场；计算在抗蚀剂层内所述深度处的入射辐射引起的向后传播电场或向后传播磁场；由向前传播电场或向前传播磁场以及向后传播电场或向后传播磁场计算在抗蚀剂层内所述深度处的辐射场，同时忽略向前传播电场或向前传播磁场和向后传播电场或向后传播磁场之间的干涉。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 拓扑 图形 晶片 光刻 模型 | ||
【主权项】：
一种用于模拟由入射辐射在衬底上的抗蚀剂层内形成的图像的方法，所述衬底具有位于抗蚀剂层内或下面的特征，所述方法包括步骤：基于所述特征的特性使用一个或多个散射函数确定衬底特有的散射函数，其中衬底特有的散射函数表征入射辐射的在抗蚀剂层内被所述特征引起的散射。
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