[发明专利]用于3D拓扑图形晶片的光刻模型

权利要求书

1.一种用于模拟由入射辐射在衬底上的抗蚀剂层内形成的图像的方法，所述衬底具有位于抗蚀剂层内或下面的特征，所述方法包括步骤：

基于所述特征的特性使用一个或多个散射函数确定衬底特有的散射函数，其中衬底特有的散射函数表征入射辐射的在抗蚀剂层内被所述特征引起的散射。

2.如权利要求1所述的方法，其中，确定衬底特有的散射函数的步骤还基于抗蚀剂层的特性。

3.如权利要求1所述的方法，还包括通过使用衬底特有的散射函数计算抗蚀剂层内形成的抗蚀剂图像的步骤。

4.如权利要求3所述的方法，其中，计算抗蚀剂层内形成的抗蚀剂图像的步骤还基于抗蚀剂层的特性和/或基于入射辐射的特性。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个散射函数表征由于特征元件的特性引起的辐射散射，和/或其中使用严格求解器计算所述一个或多个散射函数。

6.如当所述一个或多个散射函数表征由于特征元件的特性引起的辐射散射时的权利要求5所述的方法，其中所述特征元件是水平边缘、垂直边缘、区域、角部或其组合。

7.如权利要求1所述的方法，还包括基于辐射源、投影光学元件和设计布局的至少一部分中的一个或多个的特性计算抗蚀剂层的表面处的由于入射辐射引起的电磁场，其中在曝光期间抗蚀剂层的表面面对入射辐射。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个散射函数不依赖于入射辐射的方向。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述衬底没有抗反射涂层。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个散射函数被汇编在库内。

11.如权利要求1所述的方法，还包括步骤：

计算在抗蚀剂层内一深度处的入射辐射引起的向前传播电场或向前传播磁场；

计算在抗蚀剂层内所述深度处的入射辐射引起的向后传播电场或向后传播磁场；

由向前传播电场或向前传播磁场以及向后传播电场或向后传播磁场计算在抗蚀剂层内所述深度处的辐射场，同时忽略向前传播电场或向前传播磁场和向后传播电场或向后传播磁场之间的干涉。

12.如权利要求11所述的方法，其中，计算在抗蚀剂层内所述深度处的辐射场的步骤包括使用传递交叉系数计算辐射场。

13.如权利要求12所述的方法，其中，由投影光学元件函数计算传递交叉系数，和/或其中所述传递交叉系数不表示向前传播电场或向前传播磁场与向后传播电场或向后传播磁场之间的干涉。

14.一种包括计算机可读介质的计算机程序产品，所述计算机可读介质具有记录在其上的指令，所述指令在通过计算机被执行时实施上述权利要求中任一项所述的方法。

15.一种包括计算机可读介质的计算机程序产品，所述计算机可读介质具有记录在其上的特征元件的散射函数的库，其中所述特征元件是衬底上的抗蚀剂层中或下面的特征的构件。

16.如权利要求15所述的计算机程序产品，其中，所述库包括索引信息。