[发明专利]一种肖特基瞬态电压抑制二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210258297.2 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103579369A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种肖特基瞬态电压抑制二极管，本发明将肖特基结引入到PN结中形成穿通击穿结构，在器件发生反向电压击穿时可以有效降低击穿电流对器件的损伤，同时本发明的半导体装置，在PN结的漂移区中设置了轻掺杂的第一传导类型区域，可以有效降低器件的结电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 瞬态 电压 抑制 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基瞬态电压抑制二极管，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；基区，为第二传导类型的半导体材料，位于漂移层之上；肖特基势垒结，为金属和半导体材料形成的势垒结，位于基区表面；电极金属，位于器件的表面和衬底层背面。
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