[发明专利]一种肖特基瞬态电压抑制二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种肖特基瞬态电压抑制二极管，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；

基区，为第二传导类型的半导体材料，位于漂移层之上；

肖特基势垒结，为金属和半导体材料形成的势垒结，位于基区表面；

电极金属，位于器件的表面和衬底层背面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层可以为高浓度杂质掺杂的第二传导类型的半导体材料。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层也可以为高浓度杂质掺杂的第一传导类型的半导体材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的漂移区中临靠基区的部分区域中可以设置有多个相对高浓度杂质掺杂的第一传导类型的半导体材料。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的漂移区中临靠基区的部分区域中可以设置有多个相对低浓度杂质掺杂的第一传导类型的半导体材料。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的基区和漂移区边缘表面设置有绝缘材料层。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的基区的厚度小于等于5微米。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的二极管的终端结构可以为沟槽结构，沟槽表面设置有绝缘材料层。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的二极管的终端结构也可以为平面结构，终端结构表面设置有绝缘材料层。

10.如权利要求1所述的一种肖特基瞬态电压抑制二极管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1）在衬底层上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料漂移层；

2）在表面形成绝缘材料层，去除表面部分绝缘材料层；

3）进行第二传导类型杂质扩散；

4）去除表面部分绝缘材料层；

5）表面形成势垒金属，形成肖特基势垒结；

6）在器件表面和背面形成电极金属。