[发明专利]提升高频谐振腔体Q值的方法有效
| 申请号： | 201210255483.0 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102811546A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 纪彬;殷治国;张天爵;刘庚首;邢建升;李鹏展;赵振鲁 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | H05H13/00 | 分类号： | H05H13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于紧凑型回旋加速器的研究领域，具体涉及一种提升紧凑型回旋加速器高频谐振腔体Q值的方法。该方法首先通过有限元积分模拟得到高频谐振腔体的表面电流方向及腔体表面电流密度；然后依照模拟得到的结果对高频腔体内表面进行抛光，抛光的方向按照电流方向进行，并对腔体表面大电流密度区域进行精细处理；最后用无水乙醇清洁抛光后的腔体内表面。本发明通过合理选择高频腔体内表面抛光处理的方向和材质，改善了加工后高频腔体内表面状况，避免了无氧铜腔体内表面附着其他物质，最终使高频腔体Q值得到有效的提升。本发明无需设置复杂的冷却结构，明显降低了系统的复杂性、造价及运行费用。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 高频 谐振腔 方法 | ||
【主权项】：
一种提升高频谐振腔体Q值的方法，其特征在于：该方法首先通过有限元积分模拟得到高频谐振腔体的表面电流方向及腔体表面电流密度；然后依照模拟得到的结果对高频腔体内表面进行抛光，抛光的方向按照电流方向进行，并对腔体表面大电流密度区域进行精细处理；最后用无水乙醇清洁抛光后的腔体内表面。
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