[发明专利]提升高频谐振腔体Q值的方法有效
| 申请号： | 201210255483.0 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102811546A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 纪彬;殷治国;张天爵;刘庚首;邢建升;李鹏展;赵振鲁 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | H05H13/00 | 分类号： | H05H13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提升 高频 谐振腔 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提升高频谐振腔体Q值的方法，其特征在于：该方法首先通过有限元积分模拟得到高频谐振腔体的表面电流方向及腔体表面电流密度；然后依照模拟得到的结果对高频腔体内表面进行抛光，抛光的方向按照电流方向进行，并对腔体表面大电流密度区域进行精细处理；最后用无水乙醇清洁抛光后的腔体内表面。
2.如权利要求1所述的提升高频谐振腔体Q值的方法，其特征在于：所述的抛光过程是使用金相砂纸手工研磨，金相砂纸的行进方向是沿着电流方向操作。
3.如权利要求2所述的提升高频谐振腔体Q值的方法，其特征在于：所述的金相砂纸的目数不少于1200目。
4.如权利要求1所述的提升高频谐振腔体Q值的方法，其特征在于：所述腔体表面大电流密度区域是指腔体表面电流密度大于1000A/m的区域。
5.如权利要求4所述的提升高频谐振腔体Q值的方法，其特征在于：对于腔体表面大电流密度区域的精细处理的标准为该区域表面粗糙度优于0.8；其他区域的表面粗糙度优于1.6。
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