[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210247221.X | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103545367A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 锺淼钧;郑安棣;黄胤富;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基体、栅极、源极、漏极与基体接触区；栅极位于基体上；源极与漏极分别位于栅极的相对两侧上的基体中；基体接触区仅位于基体邻近源极的一区域中并电性连接至基体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一基体；一栅极，位于该基体上；一源极；一漏极，其中该源极与该漏极分别位于该栅极的相对两侧上的该基体中；以及一基体接触区，仅位于该基体邻近该源极的一区域中并电性连接至该基体。
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