[发明专利]一种双应变CMOS集成器件及制备方法有效
| 申请号： | 201210244477.5 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102916011A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 胡辉勇;宋建军;宣荣喜;张鹤鸣;王斌;王海栋;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/28;H01L21/8249;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双应变CMOS集成器件及制备方法，在衬底上连续生长P型Si外延层、P型渐变SiGe层等作为NMOS结构材料层，刻蚀出PMOS有源区深槽，在槽中选择性外延生长N型Si层等作为PMOS有源区，在NMOS和PMOS之间制备深槽隔离；在衬底表面淀积SiO2、Poly-Si，制备虚栅极，淀积SiO2，制备侧墙，自对准N型离子注入形成NMOS和PMOS源漏；淀积SiO2，刻蚀虚栅，淀积SiON栅介质层，淀积W-TiN复合栅，构成双应变CMOS集成电路；该方法充分利用了电子迁移率高的张应变Si和空穴迁移率高的压应变SiGe作为导电沟道，有效地提高了CMOS集成器件及电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 cmos 集成 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双应变CMOS器件，其特征在于，所述CMOS结构中NMOS导电沟道为应变Si材料，PMOS导电沟道为应变SiGe材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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