[发明专利]一种基于晶面选择的双应变BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于晶面选择的双应变BiCMOS集成器件及制备方法，包括：在Si衬底上生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区区域，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，制备发射极、基极和集电极，形成SiGe HBT器件；在NMOS器件区域刻蚀出深槽，沿（100）晶面选择性生长应变Si外延层，在该区域制备应变Si沟道NMOS器件；在PMOS器件有源区，沿晶面（110）选择性生长应变SiGe外延层，在该区域制备PMOS器件等。本发明充分利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料空穴迁移率高于体Si材料特点，以及晶面对迁移率的影响，制备出了性能增强的双应变BiCMOS集成器件及电路。

主权项

一种基于晶面选择的双应变BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件为应变Si平面沟道，PMOS器件为应变SiGe平面沟道，双极器件为双多晶SiGe HBT器件。