[发明专利]一种红外焦平面阵列与数字存储控制芯片的三维集成方案在审
申请号: | 201210238431.2 | 申请日: | 2012-07-11 |
公开(公告)号: | CN103545302A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 鲁文高;陈蒙;王冠男;朱韫晖;孙新;孟祥云;陈晓璐;张雅聪;缪旻;陈中建 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/31 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种红外焦平面与实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片的三维集成方案,属光电子技术及微电子技术领域。该方案包括:红外焦平面;实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片;数字存储控制芯片与红外焦平面完成三维集成,并封装在同一封装内;数字存储控制芯片以三维集成方式与红外焦平面实现电连接;数字存储控制芯片与红外焦平面的互连通信可采用现有任意三维互连技术实现;数字存储控制芯片与红外焦平面的相对位置可任意,但处在不同平面上。与现有技术相比,本发明提供一种全新的数字存储控制芯片与红外焦平面的通信集成方案,解决现有校准信息存储方案低速低效、高成本高损耗的问题,提高了红外焦平面的整体性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 平面 阵列 数字 存储 控制 芯片 三维 集成 方案 | ||
【主权项】:
本发明提供了一种三维集成方案,所述三维集成方案包括:红外焦平面阵列,实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片,数字存储控制芯片以三维集成的方式与红外焦平面阵列实现电连接,红外焦平面阵列、数字存储控制芯片与三维集成方案的协同设计。
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