[发明专利]一种红外焦平面阵列与数字存储控制芯片的三维集成方案

权利要求书

1.本发明提供了一种三维集成方案，所述三维集成方案包括：红外焦平面阵列，实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片，数字存储控制芯片以三维集成的方式与红外焦平面阵列实现电连接，红外焦平面阵列、数字存储控制芯片与三维集成方案的协同设计。

2.如权利要求1所述的红外焦平面阵列，其特征在于所述红外焦平面阵列可以是单颗芯片，也可以是包含多颗芯片的部分或全片晶圆；所述红外焦平面阵列芯片可以是组装红外探测器的阵列芯片，也可以是未组装红外探测器阵列的读出电路芯片。

3.如权利要求2所述红外焦平面读出电路芯片，其特征在于，所述红外焦平面读出电路芯片结构包括但不限于自积分型(SI)、源跟随型(SFD)、直接注入型(DI)、反馈增强直接注入型(FEDI)、电流镜栅调制型(CM)、电阻负载栅调制型(RL)、电容反馈跨阻抗放大器型(CTIA)、电阻反馈跨阻放大器型(RTIA)。

4.如权利要求1所述存储非均匀性校准数据的数字存储控制芯片，其特征在于，所述存储非均匀性校准数据的数字存储控制芯片，可以是单颗数字存储控制芯片，也可以是包含多颗数字存储控制芯片的部分或者全片晶圆；所述数字存储控制芯片的存储模块结构包括但不限于静态随机存取存储器(SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，快闪存储器(Flash Memory)。

5.如权利要求1所述数字存储控制芯片与红外焦平面读出电路实现电连接的三维集成，其特征在于，所述数字存储控制芯片与红外焦平面阵列实现电连接的三维集成的实现方式包括但不限于线封装(wire bonding)、倒封装(flip-chip stacking)、采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装。

6.如权利要求1所述三维集成方案，其特征在于，所述数字存储控制芯片与红外焦平面阵列完成三维集成，并封装在同一封装内；数字存储控制芯片与红外焦平面阵列之间的互连通信可以采用现有的任意三维互连技术实现；数字存储控制芯片与红外焦平面阵列之间的相对位置可以任意，但是处在不同的平面上；所述红外焦平面阵列除电路功能区域以外，需要预留单独的互连区域及互连接口，为了增加互连可靠性和成品率，原则上互连区域内不再放置功能模块、电路元器件、金属，其中功能区域、互连区域及互连接口形状可以任意；同时，数字存储控制芯片除电路功能区域以外，需要预留单独的互连区域及互连接口，原则上互连区域内不再放置功能模块、电路元器件、金属，其中功能区域、互连区域及互连接口形状可以任意。