[发明专利]PMOS晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201210238209.2 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103545204A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;隋运奇;韩秋华;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种PMOS晶体管的制作方法，包括：提供单晶硅衬底，在衬底上形成栅极结构，在栅极结构两侧形成第一侧墙；在栅极结构两侧形成位于第一侧墙下方的LDD结构；在栅极结构的两侧形成第二侧墙，第一侧墙位于栅极结构与第二侧墙之间；以栅极结构、第一侧墙及第二侧墙为掩模，在衬底中预形成源极及漏极的区域形成sigma形凹槽；去除第二侧墙；在sigma形凹槽内形成硅锗材料。一方面，可通过控制第一侧墙的厚度使LDD结构的掺杂浓度及分布达到最佳值，另一方面，可通过控制第二侧墙的厚度使凹槽尖端与栅极结构侧壁之间的距离及凹槽尖端与衬底表面之间的距离达到最佳值。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供单晶硅衬底，在所述衬底上形成栅极结构，在所述栅极结构两侧形成第一侧墙；在所述栅极结构两侧形成位于所述第一侧墙下方的LDD结构；形成所述LDD结构之后，在所述栅极结构两侧形成第二侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构与所述第二侧墙之间；以所述栅极结构、第一侧墙及第二侧墙为掩模，在所述衬底中预形成源极及漏极的区域形成sigma形凹槽；形成sigma形凹槽之后，去除所述第二侧墙；去除所述第二侧墙之后，在所述sigma形凹槽内形成硅锗材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210238209.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多路信号同步处理系统及方法
- 下一篇：浮栅晶体管的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
