[发明专利]PMOS晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种PMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供单晶硅衬底，在所述衬底上形成栅极结构，在所述栅极结构两侧形成第一侧墙；

在所述栅极结构两侧形成位于所述第一侧墙下方的LDD结构；

形成所述LDD结构之后，在所述栅极结构两侧形成第二侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构与所述第二侧墙之间；

以所述栅极结构、第一侧墙及第二侧墙为掩模，在所述衬底中预形成源极及漏极的区域形成sigma形凹槽；

形成sigma形凹槽之后，去除所述第二侧墙；

去除所述第二侧墙之后，在所述sigma形凹槽内形成硅锗材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料为氮化硅。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述LDD结构时离子注入剂量为E13/cm²~E15/cm²。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二侧墙的材料为无定形碳。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二侧墙的厚度为

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二侧墙的形成方法包括：

在所述衬底、栅极结构、第一侧墙及LDD结构上形成无定形碳膜；

对所述无定形碳膜进行回刻。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，利用灰化工艺去除所述第二侧墙。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述灰化工艺的参数包括：O₂流量为100sccm~500sccm，功率为1000W~2000W，时间为60s~120s。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述sigma形凹槽的形成方法包括：

以所述栅极结构、第一侧墙及第二侧墙为掩模，利用各向异性的干法刻蚀在衬底中预形成源极及漏极的区域形成凹槽，所述各向异性的干法刻蚀工艺参数包括：刻蚀气体包括CF₄和HBr，温度为40℃~60℃，功率为200W~400W，偏压为50V~200V，时间为10s~20s；

利用各向同性的干法刻蚀蚀刻所述凹槽以形成碗状凹槽，所述各向同性的干法刻蚀工艺参数包括：刻蚀气体包括Cl₂和NF₃，温度为40℃~60℃，功率为100W~500W，偏压为0V~10V，时间为5s~50s；

将所述碗状凹槽暴露在TMAH水溶液中，所述TMAH水溶液腐蚀衬底，在衬底中预形成源极及漏极的区域形成所述sigma形凹槽，所述sigma形凹槽的形成工艺参数包括：TMAH水溶液的体积百分比浓度为2%~20%，温度为30℃~60℃，时间为100s~300s。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述碗状凹槽的深度为

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述sigma形凹槽的深度为