[发明专利]半导体发光器件封装件无效
| 申请号： | 201210226038.1 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856481A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 金台勋;蔡昇完;金晟泰;李守烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/48;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件封装件，其包括：具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的半导体衬底；布置在所述半导体衬底的第一主表面侧上的光源；布置在所述半导体衬底的第二主表面侧上的多个电极焊盘；从所述多个电极焊盘延伸并且穿透所述半导体衬底的导电通孔；以及包括多个二极管的驱动电路单元，通过由p型区和n型区形成的pn结获得所述多个二极管，并且将所述多个二极管电连接至所述导电通孔和所述光源。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件封装件，包括：半导体衬底，其具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；光源，其布置在所述半导体衬底的第一主表面侧上；多个电极焊盘，其布置在所述半导体衬底的第二主表面侧上；导电通孔，其从所述多个电极焊盘延伸并且从所述半导体衬底的第二主表面开始穿透所述半导体衬底到达所述半导体衬底的第一主表面；以及驱动电路单元，其包括多个二极管，通过由具有相对较高的p型杂质浓度的p型区和具有相对较高的n型杂质浓度的n型区形成的pn结获得所述多个二极管，并且将所述多个二极管电连接至所述导电通孔和所述光源，从而对流过所述多个电极焊盘的交流（AC）电流进行整流，并且将经过整流的电流提供给所述光源。
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