[发明专利]一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管

摘要

本发明公开了一种包括具有多个悬浮的沟槽环的终端区的沟槽式金属氧化物半导体场效应管。根据本发明的多个悬浮的沟槽环的深度等于或大于位于有源区的体区的结深。根据本发明的沟槽式金属氧化物半导体场效应管还包括一个等势环，其位于终端区且包围所述的多个悬浮的沟槽环。

主权项

一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括位于有源区的多个晶体管单元和位于终端区的多个悬浮的沟槽栅，还包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，其位于所述衬底之上，且所述外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；第一导电类型的源区，位于有源区，且靠近所述外延层的上表面，所述源区的多数载流子浓度大于所述外延层；第二导电类型的第一体区，位于有源区中所述外延层中，且位于所述源区下方；第二导电类型的第二体区，位于所述外延层中，且包围所述有源区的外围，所述第二体区上方不存在所述源区；第一沟槽栅，位于所述有源区，被所述源区和所述第一体区包围；至少一个第二沟槽栅，用于栅极连接，其被所述第二体区包围且延伸至所述第一沟槽栅，其中所述至少一个第二沟槽栅连接至一个栅极金属焊盘；所述多个悬浮的沟槽栅，其平行形成于所述终端区中，并且围绕所述有源区的外围，所述多个悬浮的沟槽栅各自具有悬浮的电压并被所述第二体区包围，并且所述多个悬浮的沟槽栅的沟槽深度等于或大于所述第二体区的结深；一个等势环，位于所述终端区并且围绕所述多个悬浮的沟槽栅的外围，所述等势环包括第三沟槽栅，其通过一个等势环金属连接至第二导电类型的第三体区，其中所述第三沟槽栅具有悬浮的电压；其中所述第二体区和所述第三体区都具有悬浮的电压。