[发明专利]一种后栅极工艺晶体管及其形成方法

摘要

本发明公开了一种后栅极工艺晶体管及其形成方法，采用先形成第一N区侧墙，接着形成硅锗层，再形成第一P区侧墙的方法，不需要形成缓冲氧化层，避免了现有工艺中采用两次湿法刻蚀工艺进行清洗，从而对侧墙影响极大（侧墙高度消耗较大）的问题，即避免了栅极结构的多晶硅体块暴露出来。由此，能够使得形成源/漏极硅化物层时，栅极结构的多晶硅体块不被影响，即避免了多晶硅体块上形成硅聚合残余物而影响器件的性能，大大的提高了制造工艺的精密度和有效性。

主权项

一种后栅极工艺晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底中形成N阱和P阱，在所述N阱和P阱交接处形成浅沟道隔离，在所述N阱和P阱上均形成多个栅极结构；形成第一侧墙材料层，所述第一侧墙材料层覆盖所述N阱、P阱、浅沟道隔离和栅极结构；刻蚀所述N阱上的第一侧墙材料层，形成第一N区侧墙；在所述N阱中形成硅锗层，所述硅锗层位于相邻两个栅极结构的相邻两个第一N区侧墙之间；刻蚀所述P阱上的第一侧墙材料层，形成第一P区侧墙；在所述N阱上的相邻两个栅极结构的相邻两个第一N区侧墙之间形成源/漏极硅化物层。