[发明专利]一种后栅极工艺晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种后栅极工艺晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成N阱和P阱，在所述N阱和P阱交接处形成浅沟道隔离，在所述N阱和P阱上均形成多个栅极结构；

形成第一侧墙材料层，所述第一侧墙材料层覆盖所述N阱、P阱、浅沟道隔离和栅极结构；

刻蚀所述N阱上的第一侧墙材料层，形成第一N区侧墙；

在所述N阱中形成硅锗层，所述硅锗层位于相邻两个栅极结构的相邻两个第一N区侧墙之间；

刻蚀所述P阱上的第一侧墙材料层，形成第一P区侧墙；

在所述N阱上的相邻两个栅极结构的相邻两个第一N区侧墙之间形成源/漏极硅化物层。

2.如权利要求1所述的后栅极工艺晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括多晶硅体块及位于所述多晶硅体块上的氮化硅体块。

3.如权利要求2所述的后栅极工艺晶体管的形成方法，其特征在于，形成栅极结构的工艺包括如下步骤：

在所述衬底上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成掩膜层；

刻蚀所述掩膜层形成氮化硅体块；

刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅体块。

4.如权利要求1所述的后栅极工艺晶体管的形成方法，其特征在于，形成硅锗层的工艺包括如下步骤：

刻蚀所述N阱形成沟槽，所述沟槽位于相邻两个栅极结构之间；

在所述沟槽内沉积硅锗形成硅锗层。

5.如权利要求1所述的后栅极工艺晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙材料层包括：

第一氧化层和第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述第一氧化层。

6.如权利要求5所述的后栅极工艺晶体管的形成方法，其特征在于，在形成第一侧墙材料层之后，形成第一N区侧墙之前，还包括如下步骤：

形成第一光阻层，所述第一光阻层覆盖P阱上的第一侧墙材料层。

7.如权利要求6所述的后栅极工艺晶体管的形成方法，其特征在于，在形成硅锗层之后，形成第一P区侧墙之前，包括如下步骤：

去除所述第一光阻层；

形成第二光阻层，所述第二光阻层覆盖包括所述N阱、硅锗层、第一N区侧墙和N阱上的栅极结构。

8.如权利要求7所述的后栅极工艺晶体管的形成方法，其特征在于，形成第一P区侧墙之后，形成源/漏极硅化物层之前，包括如下工艺步骤：

去除所述第二光阻层；

形成第二侧墙材料层，所述第二侧墙材料层覆盖所述N阱、P阱、浅沟道隔离、栅极结构、第一N区侧墙和第一P区侧墙；

刻蚀所述第二侧墙材料层形成第二N区侧墙和第二P区侧墙，所述第二N区侧墙紧靠第一N区侧墙，所述第二P区侧墙紧靠第一P区侧墙。

9.如权利要求8所述的后栅极工艺晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙材料层包括：

第二氧化层和第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述第二氧化层。

10.一种如权利要求1~9所制得的后栅极工艺晶体管，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括N阱和P阱；

位于所述N阱和P阱交接处的浅沟道隔离；

形成于所述N阱和P阱上的多个栅极结构；

紧靠所述N阱上栅极结构的第一N区侧墙；

位于所述N阱中且位于相邻两个栅极结构的相邻两个第一N区侧墙之间的硅锗层；

位于所述N阱上的相邻两个栅极结构的相邻两个第一N区侧墙之间的源/漏极硅化物层；

紧靠所述P阱上栅极结构的第一P区侧墙。

11.如权利要求10所述的后栅极工艺晶体管，其特征在于，还包括：紧靠所述第一N区侧墙的第二N区侧墙，紧靠所述第一P区侧墙的第二P区侧墙。

12.如权利要求11所述的后栅极工艺晶体管，其特征在于，所述源/漏极硅化物层位于紧靠所述相邻两个第一N区侧墙的相邻两个第二N区侧墙之间。