[发明专利]具有伪栅极的横向DMOS器件有效
| 申请号： | 201210199469.3 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103208522A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 伍震威;柳瑞兴;蔡军;周学良;陈吉智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有伪栅极的LDMOS晶体管包括：形成在衬底的上方的延伸漂移区；形成在延伸漂移区中的漏极区；形成在延伸漂移区中的沟道区；形成在沟道区中的源极区及形成在延伸漂移区的上方的介电层。具有伪栅极的LDMOS晶体管还包括：形成在沟道区的上方的有源栅极及形成在延伸漂移区的上方的伪栅极。伪栅极有利于减少LDMOS晶体管的栅极电荷同时维持LDMOS晶体管的击穿电压。本发明还提供具有伪栅极的横向DMSO器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 横向 dmos 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有第一导电性；第一区，具有第二导电性，形成在所述衬底的上方；第二区，具有所述第二导电性，形成在所述第一区中；第三区，具有所述第一导电性，形成在所述第一区中；第一介电层，形成在所述第一区的上方，其中，所述第一介电层的第一侧邻近所述第二区；第二介电层，以其第一侧与所述第一介电层的第二侧邻近的方式形成；以及第一栅极，形成在所述第一介电层的上方；以及第二栅极，形成在所述第二介电层之上，其中，所述第二栅极通过间隙与所述第一栅极隔开。
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