[发明专利]双栅极横向MOSFET有效
| 申请号： | 201210198959.1 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103258846A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈柏羽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 双栅极横向MOSFET包括：衬底上方的漂移区、在漂移区中形成的隔离区和在漂移区中形成的沟道区。双栅极横向MOSFET包括：在漂移区中形成的漏极区和在沟道区中形成的源极区，其中，源极区和漏极区形成在隔离区的相对两侧。双栅极横向MOSFET进一步包括邻近源极区形成的第一栅极和第二栅极，其中，第一栅极和第二栅极堆叠在一起并且通过介电层隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 横向 mosfet | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有第一导电性；第一区域，具有第二导电性并形成在所述衬底上方；主体区，具有所述第一导电性并形成在所述第一区域中；隔离区，形成在所述第一区域中；第二区域，具有所述第二导电性并形成在所述第一区域中；第三区域，具有所述第二导电性并形成在所述第一区域中，其中，所述第三区域和所述第二区域形成在所述隔离区的相对两侧；第一介电层，形成在所述第一区域上方；第一栅极，形成在所述第一介电层上方；第二介电层，形成在所述第一栅极上方；以及第二栅极，形成在所述第二介电层上方。
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