[发明专利]分裂栅极器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210195392.2 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103247630A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王驭熊;谢智仁;萧栋升 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及分裂栅极器件及其制造方法，其中，一种半导体器件包括：衬底；设置在第一区域中的衬底上方的存储元件；设置在存储元件上方的控制栅极；设置在邻近第一区域的第二区域中的衬底上的高k介电层；以及设置在高k介电层上方并邻近存储元件和控制栅极的金属选择栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 分裂 栅极 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；存储元件，设置在第一区域中的所述衬底上方；控制栅极，设置在所述存储元件上方；高k介电层，设置在邻近所述第一区域的第二区域中的所述衬底上；以及金属选择栅极，设置在所述高k介电层上方并且邻近所述存储元件和所述控制栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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