[发明专利]一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201210195337.3 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102677129A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李纲;张文彦;李广忠 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C25D11/34 | 分类号： | C25D11/34;B32B15/04;B32B9/04 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710016*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极，由Ni基体和覆于所述Ni基体表面的NiO薄膜组成，所述NiO薄膜由垂直于所述Ni基体表面的原位生长的NiO纳米片阵列组成，所述NiO纳米片为六边形片状结构。本发明还提供了该电极的制备方法如下：一、将Ni基体预处理；二、将预处理的Ni基体进行阳极氧化处理，得到Ni基NiO多孔膜；三、将Ni基NiO多孔膜进行蒸汽热处理，得到Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极。本发明制备工艺简单，工艺流程短，生产效率高；采用本发明制备的Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极的比表面积大，孔隙结构发达，具有优异的电化学性能和循环稳定性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ni nio 纳米 阵列 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极，由Ni基体和覆于所述Ni基体表面的NiO薄膜组成，其特征在于，所述NiO薄膜由垂直于所述Ni基体表面的原位生长的NiO纳米片阵列组成，所述NiO纳米片为厚度为20nm～25nm、边长为0.5μm～2.0μm的六边形片状结构。
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