[发明专利]一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极及其制备方法有效
申请号: | 201210195337.3 | 申请日: | 2012-06-13 |
公开(公告)号: | CN102677129A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 李纲;张文彦;李广忠 | 申请(专利权)人: | 西北有色金属研究院 |
主分类号: | C25D11/34 | 分类号: | C25D11/34;B32B15/04;B32B9/04 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710016*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ni nio 纳米 阵列 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极,由Ni基体和覆于所述Ni基体表面的NiO薄膜组成,其特征在于,所述NiO薄膜由垂直于所述Ni基体表面的原位生长的NiO纳米片阵列组成,所述NiO纳米片为厚度为20nm~25nm、边长为0.5μm~2.0μm的六边形片状结构。
2.一种制备如权利要求1所述Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤一、将Ni基体加工成长度为10mm~40mm、宽度为10mm~30mm、厚度为0.1mm~3mm的片状,打磨抛光后置于有机溶剂中超声除油,然后用去离子水清洗干净,自然风干后得到预处理后的Ni基体;
步骤二、将步骤一中所述预处理后的Ni基体置于温度为45℃~65℃的电解液中,以预处理后的Ni基体为阳极,以Pt片为阴极,在电压为8V~12V的条件下阳极氧化10min~30min,断电后立即将Ni基体取出清洗,自然风干后,得到Ni基NiO多孔膜;所述电解液为硝酸水溶液;
步骤三、将步骤二中所述Ni基NiO多孔膜平放在位于水热反应釜中的聚四氟乙烯平台上,向水热反应釜和聚四氟乙烯平台之间的空隙中加入10mL~30mL的去离子水,将水热反应釜密封后置于烘箱内进行蒸汽热处理,断电冷却后得到Ni基NiO纳米片阵列薄膜电极。
3.根据权利要求2中所述的方法,其特征在于,步骤一中所述Ni基体的质量纯度>99.6%。
4.根据权利要求2中所述的方法,其特征在于,步骤一中所述打磨抛光的具体工艺为:依次使用150#、600#、1000#的砂纸将加工成片状的Ni基体打磨光亮。
5.根据权利要求2中所述的方法,其特征在于,步骤一中所述有机溶剂为无水甲醇、无水乙醇或丙酮。
6.根据权利要求2中所述的方法,其特征在于,步骤二中所述硝酸水溶液中硝酸的摩尔浓度为0.28mol/L~0.35mol/L。
7.根据权利要求2中所述的方法,其特征在于,步骤三中所述蒸汽热处理的温度为160℃~180℃。
8.根据权利要求2中所述的方法,其特征在于,步骤三中所述蒸汽热处理的时间为3h~20h。
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