[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201210186458.1 申请日: 2012-06-07
公开(公告)号: CN102723334A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 王杰;洪孟逸 申请(专利权)人: 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210033 江苏省南京市仙林大道科*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器,位于玻璃基板上,薄膜晶体基板包括数据线、栅线、TFT元件、像素电极、保护层,数据线包括第一数据线、第二数据线、以及信号搭桥线;TFT元件包括绝缘层、由信号搭桥线形成的源极、与像素电极连接的漏极、以及与栅线连接的栅极、位于源和漏极之间的半导体层;保护层,位于半导体层上。本发明提出一种减少光罩制程的TFT结构,可以减化制程降低制造成本。以IGZO或ZnO作为半导体层,利用栅极金属作为源极讯号,再利用ITO或达金属水平的低电阻透明材料进行桥接形成源极信号线(源极),像素电极(含漏极),只需四道光罩制程即完成TFT元件,有利于节约成本。
搜索关键词: 一种 金属 氧化物 薄膜 晶体 及其 制造 方法 液晶显示器
【主权项】:
一种金属氧化物薄膜晶体基板,位于玻璃基板上,其特征在于,包括:数据线,包括:第一数据线、第二数据线、以及连接第一数据线和第二数据线的信号搭桥线;栅线,与数据线交叉;TFT元件,包括:位于栅线上的绝缘层、由信号搭桥线形成的源极、漏极、以及与栅线连接的栅极、以及位于源极和漏极之间的半导体层;像素电极,与漏极连接;保护层,位于半导体层上;其中,所述半导体层位于绝缘层上。
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